[10a-70A-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[10a-70A-4] レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡を用いたSiO₂/SiC 界面の表面ポテンシャル評価

〇西村 辰彦¹、中西 英俊¹、川山 巌²、斗内 政吉²、細井 卓治³、志村 考功³、渡部 平司³ (1.SCREEN、2.阪大レーザー研、3.阪大院工)

キーワード：SiO2/SiC界面、テラヘルツ波、THz波、表面ポテンシャル

Laser Terahertz Emission Microscope (LTEM)を用いたSiO₂/SiC界面の評価結果について、C-Vカーブに基づき計算した表面ポテンシャル(ψ_s)との相関を調べた。界面特性が良好な試料ではTHz ピーク強度とψ_sの変化に相関が見られるが、界面準位密度が高い試料では比較的相関が弱い。SiC においてもTHz 波振幅強度とψ_sに相関が認められ、LTEM がψ_sの評価技術になりえると考えている。