[10a-70A-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[10a-70A-5] SiC酸化膜中の窒素関連欠陥の構造とその電子状態

〇松下 雄一郎¹、小林 拓真¹ (1.東工大フロンティア)

キーワード：SiC、NO界面処理、欠陥

SiC-MOSデバイスでは、高密度界面低減のためにNOなどによる界面処理が用いられている。大部分の窒素がSiC/SiO₂界面で界面準位を不活性化する一方、一部分はSiO₂膜中にも取り込まれSiC-MOSデバイスの移動度劣化に寄与していることが報告され、その微視的構造の同定が重要になっている。本研究では、SiO₂膜中の窒素欠陥の構造安定性とその電子状態を第一原理理論計算により明らかにした。