[10a-70A-1~11] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[10a-70A-6] Thermal oxidation of 4H-SiC under CO₂ ambient

〇Takuji Hosoi¹, Momoe Ohsako¹, Takayoshi Shimura¹, Heiji Watanabe¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:SiC, MOS, Thermal oxidation

CO₂雰囲気下での4H-SiCの熱酸化を検証した。1500℃以上の温度でSiO₂形成が進行することを明らかにし、またヒステリシスのない良好なMOS特性が得られた。