[10a-70A-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[10a-70A-8] 深い準位を有するドナー添加がSiC MOSFETチャネル特性へ及ぼす効果

〇野口 宗隆¹、岩松 俊明¹、網城 啓之¹、渡邊 寛¹、喜多 浩之²、三浦 成久¹ (1.三菱電機、2.東大工)

キーワード：SiC、MOSFET、ドナー

SiC MOSFETには低抵抗化と高閾値電圧(V_th)化の両立が期待されるが、一般にSiC MOSFETのチャネル抵抗(R_ch)とV_thにはトレードオフの関係がある。本研究では、このトレードオフ関係を改善するため、チャネル領域へ添加するドナーのイオン化エネルギーに着目し、深い準位を有するドナー添加がチャネル特性へ及ぼす影響を評価した。深い準位を有するドナーの硫黄をチャネル領域へ添加すると、従来に比べR_chとV_thのトレードオフ関係が改善することが判明した。