11:00 〜 11:15 [10a-70A-8] 深い準位を有するドナー添加がSiC MOSFETチャネル特性へ及ぼす効果 〇野口 宗隆1、岩松 俊明1、網城 啓之1、渡邊 寛1、喜多 浩之2、三浦 成久1 (1.三菱電機、2.東大工)