[10a-M113-1~6] 6.2 Carbon-based thin films

[10a-M113-6] Boron incorporation into graphitic carbon nitride for wide bandgap semiconductor

Maito Kosaka¹, 〇Noriyuki Urakami^1,2, Yoshio Hashimoto^1,2 (1.Shinshu Univ., 2.Shinshu Univ. Inst. of Carbon Sci. and Tech.)

Keywords:Graphitic Carbon Nitride

グラファイト状窒化炭素へホウ素を添加することでそのワイドギャップ半導体化を目指した。作製温度を変化させて試料を作製したところ、グラファイト状窒化炭素の面内C-Nネットワークの局所的な解離を利用することでホウ素が効率よく添加可能であることが分かった。