[10a-M114-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[10a-M114-11] µCLBA誘起Siストライプを用いたn型TFTの作製

〇平末 充紀¹、葉 文昌¹ (1.島根大)

キーワード：薄膜トランジスタ、レーザアニール、Si薄膜

本研究室では、連続波レーザ結晶化(CLC)法の応用であるµシェブロンレーザビームアニール(µCLBA)という方法を提案している。この方法は、レーザをシェブロン型に整形し、Si膜に走査することで中心部に単結晶が得られるというものである。本研究ではµCLBAによって結晶化したSiをTFTに応用するため、主にスパッタ法による成膜を行い、TFTを作製・特性評価を行った。