[10a-M114-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

△ [10a-M114-7] 局所レーザーアニールによる低温多結晶Si薄膜の結晶形状制御

〇(B)山田 貴大¹、妹川 要^1,2、中村 大輔¹、後藤 哲也³、池上 浩^1,2 (1.九大、2.九大ギガフォトン共同部門、3.東北大未来研)

キーワード：レーザーアニール、多結晶Si、TFT

Selective Laser Annealing法は，チャネル領域のみにpoly-Siの結晶化を施すことが可能な画期的な方法である一方で，結晶粒が不均一になりTFT特性が不安定となることが問題となっている．そこで，我々はマスクパターンを用いてマルチラインビームを形成し，結晶粒の位置制御が可能である事を報告した。本報告では，新たに作成したドットパターンマスクを用いることで位置制御に加えて形状制御も可能である事について述べる．