[10a-M121-1~10] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

△ [10a-M121-3] Proposal of Two-Dimensional Electric Field Mapping Method for GaN by Sub-Bandgap-Wavelength Light

〇Seiya Kawasaki¹, Hayata Fukushima², Shigeyoshi Usami², Yuto Ando², Atsushi Tanaka^3,4, Manato Deki³, Maki Kushimoto², Shugo Nitta³, Yoshio Honda³, Hiroshi Amano^3,4,5,6 (1.Nagoya Univ., 2.Dept. of Electronics, Nagoya Univ., 3.IMaSS, 4.NIMS, 5.Akasaki RC, 6.VBL)

Keywords:GaN, pn dipde, Erectric field observation

GaN基板上縦型pnダイオードの面内電界強度分布の観察手法として、Flantz-Keldysh効果を用いたサブバンドギャップ光によるOBIC測定を行うことで、電界の情報を光電流として取り出すことを提案し、観察を試みた。その結果、GaNエピ層のマクロステップとよく一致したマッピング像が得られ、不純物揺らぎを反映した電界強度分布が観察されたことが示唆された。