[10a-M121-1~10] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[10a-M121-5] Electrical properties of selectively grown GaN channels for FinFETs

〇Takuya Hamada¹, Hayato Mukai¹, Tokio Takahashi², Toshihide Ide², Mitsuaki Shimizu², Takuya Hoshii¹, Kakushima Kuniyuki¹, Wakabayashi Hitoshi¹, Iwai Hiroshi¹, Tsutsui Kazuo¹ (1.Tokyo Tech, 2.AIST)

Keywords:GaN, selective area growth, FinFET

GaN系半導体は，選択成長を用いたELO技術によってヘテロエピタキシャル成長由来の転位の低減が報告されている。この選択成長GaNを立体チャネルトランジスタに応用できれば，結晶性の改善に基づく性能の向上が期待される。今回，GaN/Sapphire基板上にSiNハードマスクを作製して選択成長したGaNの電気特性を評価した。TLM測定の結果，コンタクト抵抗は比較用のn-GaN層とほぼ等しかったが，一方でチャネルの抵抗率は1桁低くなった。