[10a-M121-1~10] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[10a-M121-8] AlGaInN/AlGaNヘテロ構造の光電気化学エッチング

〇小松 祐斗¹、植村 圭佑¹、細見 大樹²、三好 実人²、佐藤 威友¹ (1.北大量集セ、2.名工大)

キーワード：電気化学エッチング、AlGaInN/AlGaNヘテロ構造

AlGaN/GaN-HFETのゲートリセス化は，閾値電圧の制御やノーマリーオフ動作の実現に有望な手法の１つである．我々は，光電気化学(PEC: Photo-electrochemical)反応を利用したAlGaNバリア層の精密エッチング法を開発し，本手法が，AlGaN/GaN-HFETのノーマリオフ化，ゲートリーク電流の低減，相互コンダクタンスの向上に有効であることを示した．今回は，PECプロセスをAlGaInN/AlGaN-HFETのゲートリセス加工に適用することを目的とし，AlGaInNバリア層と電解液界面の電気化学特性とPECエッチング特性を調査した。