[10a-M121-1~10] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[10a-M121-9] Gallium Nitride Atomic Layer Etching by Chlorine Neutral Beam

〇KENTA SUGAWARA¹, (P)DAISUKE OHORI², KAZUTAKA INOUE¹, SEIJI SAMUKAWA^2,3 (1.Sumitomo Electric, 2.IFS, Tohoku Univ., 3.AIMR, Tohoku Univ.)

Keywords:Etching, Neutral Beam, Gallium Nitride

AlGaN/GaN HEMT作製の課題の１つに、ゲート電極形成のための絶縁膜エッチング時の加工損傷により、窒素抜け、表面荒れ等が発生によるシート抵抗増大が挙げられる。とりわけ、AlGaN層の薄層化が必須となるミリ波帯素子では、その影響がより深刻となる。そこで、中性粒子ビームエッチング法を用いた加工損傷軽減を検討した結果について報告する。