[10a-PA3-1~10] 6.1 Ferroelectric thin films

[10a-PA3-1] Growth of PZT epitaxial films on Si substrates using sputtering method

〇Mikio Murase¹, Kyohei Izumi¹, Takeshi Yoshimura¹, Norifumi Fujimura¹ (1.Osaka Pref. Univ.)

Keywords:ferroelectrics, Pb(Zr,Ti)O3

ジャイロセンサやインクジェットヘッドなど様々な圧電MEMSデバイスの開発が進められており、大きなe_31,f圧電定数が必要な用途では、主にPb(Zr,Ti)O₃(PZT)が用いられている。PZTの圧電特性には結晶方位依存性があり、MEMS応用では大きなe_31,f定数を得るためにSi基板上に(100)成長させることが重要となっている。配向膜の研究が多くを占めるが、SrTiO₃やYSZなどのバッファ層をSi基板上にエピタキシャル成長させることで、Pb系強誘電体の(100)エピタキシャル膜を作製した報告も行われている。本研究ではRFマグネトロンスパッタリング法のみを用いてSi基板上にPZT薄膜をエピタキシャル成長させることに取り組んだ。