[10a-PA3-1~10] 6.1 強誘電体薄膜

[10a-PA3-1] スパッタ法を用いたSi基板上へのPZTエピタキシャル薄膜の作製

〇村瀬 幹生¹、和泉 享兵¹、吉村 武¹、藤村 紀文¹ (1.大阪府大工)

キーワード：強誘電体、Pb(Zr,Ti)O3

ジャイロセンサやインクジェットヘッドなど様々な圧電MEMSデバイスの開発が進められており、大きなe_31,f圧電定数が必要な用途では、主にPb(Zr,Ti)O₃(PZT)が用いられている。PZTの圧電特性には結晶方位依存性があり、MEMS応用では大きなe_31,f定数を得るためにSi基板上に(100)成長させることが重要となっている。配向膜の研究が多くを占めるが、SrTiO₃やYSZなどのバッファ層をSi基板上にエピタキシャル成長させることで、Pb系強誘電体の(100)エピタキシャル膜を作製した報告も行われている。本研究ではRFマグネトロンスパッタリング法のみを用いてSi基板上にPZT薄膜をエピタキシャル成長させることに取り組んだ。