[10a-PA3-1~10] 6.1 強誘電体薄膜

[10a-PA3-7] 圧電高分子膜(P(VDF-TrFE))一体型ZnO-FETの熱処理前後の評価

〇岡山 琢哉¹、松本 周作¹、古川 昭雄¹ (1.東理大理工)

キーワード：強誘電体、半導体、P(VDF-TrFE)

本研究はFETのゲート絶縁膜に圧電体材料を用いた接触センサ機能をもつデバイスの作製を目的としている。本報告では、FETのゲート絶縁膜に用いるP(VDF-TrFE)の結晶化のための熱処理前後（135℃）でFETの電流値に大きな変化が見られたので報告する