[10a-PB2-1~18] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[10a-PB2-1] Measurement of carrier concentration in n-type Mg2Si crystals by C-V method

〇(B)Takeru Miyauchi¹, Daisuke Niioka¹, Fumiya Takahashi¹, Haruhiko Udono¹, Eiichiro Watanabe², Daiju Tsuya² (1.Ibaraki Univ., 2.NIMS)

Keywords:Magnesium silicide

各種方法でn-Mg2Si結晶に絶縁膜をつけMIS構造のCV測定によってMg2Si基板のキャリア濃度測定を行なった。
その結果、スパッタ成膜したSiO2のMIS構造でキャリア濃度を同定した。