The 66th JSAP Spring Meeting, 2019

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13 Semiconductors » 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[10a-PB2-1~18] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

Sun. Mar 10, 2019 9:30 AM - 11:30 AM PB2 (PB)

9:30 AM - 11:30 AM

[10a-PB2-15] Electronic structure of interstitial hydrogen in bulk single-crystalline InGaZnO4

Masatoshi Hiraishi1, Kenji Kojima2, Hirotaka Okabe1, Akihiro Koda1,3, Ryosuke Kadono1,3, Yuki Kobayashi4, Nobuaki Miyakawa4 (1.KEK-IMSS, 2.TRIUMF, 3.Sokendai, 4.Tokyo. Univ. Sci.)

Keywords:Hydrogen, IGZO, Muon

IGZO中における希薄水素の電子状態を調べる目的で単結晶IGZOのミュオンスピン回転実験を行った結果、反磁性状態 (H+またはH-に相当) となっていることを明らかにした。また、ミュオン位置での磁場分布の大きさが多結晶やアモルファス膜とほぼ同等であり、局所構造が結晶性によらないことも明らかにした。講演では、角度依存性、外部磁場依存性の結果や酸素アニール試料の実験結果についても報告する予定である。