The 66th JSAP Spring Meeting, 2019

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13 Semiconductors » 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[10a-PB2-1~18] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

Sun. Mar 10, 2019 9:30 AM - 11:30 AM PB2 (PB)

9:30 AM - 11:30 AM

[10a-PB2-16] Investigation of group 2 element containing ternary phosphide semiconductors

〇(PC)Ryoji Katsube1, Kou Harada2, Fumiyasu Oba2, Yoshitaro Nose1 (1.Kyoto Univ., 2.IIR-MSL Tokyo Tech.)

Keywords:thin film solar cells, CaZn2P2, CaCuP

我々は薄膜太陽電池の光吸収層としてZn3P2やZnSnP2に着目している。これらを用いた高効率デバイスの作製には表・裏側に適切なバッファ層を形成する必要があると考えられるが、安価・安全を両立できる材料の報告はほとんどない。そこで本研究では、第二族元素を含む様々な三元リン化物に着目し、これらの単相合成と物性評価により新しいバッファ層として利用可能かどうか検討した。