[10a-PB2-1~18] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[10a-PB2-9] Influence of annealing condition on carrier density of BaSi₂ film

〇Yuki Kimura¹, Michinobu Fujiwara¹, Yoshihiko Nakagawa¹, Kazuhiro Gotoh¹, Yasuyoshi Kurokawa¹, Noritaka Usami¹ (1.Nagoya Univ.)

Keywords:silicide

BaSi₂は、高い光吸収係数と、単接合太陽電池の吸収層として理想的な1.4 eVに近いバンドギャップをもつため薄膜太陽電池材料として注目されている。BaSi₂の太陽電池応用のためにはキャリア密度を制御することが必要である。本研究では真空蒸着法により作製したアンドープBaSi₂薄膜のキャリア密度にポストアニール時のカバー物質が与える影響を調査した。ポストアニール温度900℃においてカバー物質に依存して伝導型が変化することが確認された。