2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

13 半導体 » 13.9 化合物太陽電池

[10a-PB3-1~14] 13.9 化合物太陽電池

2019年3月10日(日) 09:30 〜 11:30 PB3 (武道場)

09:30 〜 11:30

[10a-PB3-8] 微粒子塗布法によるAg8SnS6光電極の作製と評価Ⅱ
硫化水素雰囲気下でのアニール効果

〇(M1)LENGUYEN GIAPHUC1、田中 久仁彦1 (1.長岡技大)

キーワード:Ag8SnS6、光電極、微粒子塗布法

可視光を吸収するバンドギャップエネルギーが1.3-1.5 eVのAg8SnS6が光電極材料として注目されている.前回我々は, 微粒子塗布法を用い, 溶媒メタノール, 分散剤トリトンX, 増粘剤ポリエチレングリコールでペーストを作成し, 窒素の雰囲気中で加熱処理することにより, 高品質なAg8SnS6薄膜の作製を行った. その結果,異相のない試料が作製できたものの, 硫黄が不足していた. 今回は硫黄含有量を増加させるため硫化水素を含む雰囲気下で加熱処理を行った.