[10a-S221-1~11] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

△ [10a-S221-1] Characterization of triple quantum dot systems physically defined in silicon

〇Raisei Mizokuchi¹, Shunri Oda¹, Tetsuo Kodera¹ (1.Tokyo Tech.)

Keywords:Silicon, Quantum dot

シリコン量子ドット中のスピンは構造の小ささから量子コンピュータ実現に有望な系であり、集積化に向け多重量子ドット構造が注目を集めている。本研究では3つの量子ドットを結合したデバイスを作製し、4.2 Kにおいて電荷状態について調べた。TQDの電流値から、3つのドットの準位が一致した電荷四重点の観測に成功し、2次元的に配置されたシリコン量子ドット系において初めて高い制御性を示した。