[10a-S221-1~11] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[10a-S221-2] Long-range interaction in silicon triple quantum dots

〇(B)Shunsuke Ota¹, Soichirou Hiraoka¹, Raisei Mizokuchi¹, Tetsuo Kodera¹ (1.Tokyo Tech.)

Keywords:triple quantum dots

将来のスピン量子ビットの拡張性のある集積化のために離れた量子ドット間に働く長距離相互作用の研究が必要であると考えられる。3重量子ドット(TQD)は中央のドットを挟んだ左右の離れたドット間の相互作用を測定することができるため、長距離相互作用について調べる際の最小単位になる。本研究では、左と右の離れた量子ドットにおける電子間に働く相互作用の見積もりを行った。