[10a-S221-1~11] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[10a-S221-5] Potential modulation by offset bias for integration of hole-based silicon QD devices

〇Kou Amano¹, Mizuki Kobayashi¹, Simpei Nishiyama¹, Seiya Mizoguchi¹, Yu Ymaoka¹, Raisei Mizokuchi¹, Tetsuo Kodera¹ (1.Tokyo Tech.)

Keywords:Silicon, Quantum Computer

シリコン量子ドット中に閉じ込められた正孔スピンは電界のみで速いスピン操作を行うことが可能である。このため、スピン量子ビットの集積化に有利性を持つシンプル構造が期待されている。本研究では、量子ドットのソースとドレインに対してある共通のバイアスを印加することで、ポテンシャル変調のゲート機能を持たせられるかどうか調べた。