[10a-S221-1~11] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

△ [10a-S221-6] p型シリコン量子ドット中での正孔スピンg因子の見積もり

〇魏 赫男¹、溝口 聖也¹、溝口 来成¹、小寺 哲夫¹ (1.東工大工)

キーワード：シリコン、量子ドット、g因子

本研究では、SOI基板上に製作された単一量子ドット(CS)を用いて、CSにおける正孔g因子の見積もりを行った。g因子はスピン共鳴によるスピン操作で重要な役割を果たす。印加する磁場の値を変化させ、クーロンダイヤモンドを観測した結果、g因子の大きさがおよそ2.9と見積もられた。​正孔のg因子はデバイス構造や電場の条件に依存した値をとると考えられるので、CSと二重量子ドットについて比較し議論する。