The 66th JSAP Spring Meeting, 2019

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.8 Optical properties and light-emitting devices

[10a-S223-1~10] 13.8 Optical properties and light-emitting devices

Sun. Mar 10, 2019 9:30 AM - 12:15 PM S223 (S223)

Haruki Fukada(Kanazawa Inst. of Tech.)

10:00 AM - 10:15 AM

[10a-S223-3] Analysis of 4f energy levels of Pr3+ and Tb3+ in CaMO3 (M=Ti, Zr, Sn) by XPS measurements

Ryo Yamamoto1, Kazushige Ueda1 (1.Kyushu Inst. Tech.)

Keywords:luminescence, 4f energy level, XPS

希土類(Ln)イオンの発光を理解するうえで、母体の価電子帯および伝導帯のエネルギーに対するLnイオン4f軌道のエネルギー準位の位置は重要な情報である。このため、母体の価電子帯上端に対するCaMO3(M=Ti, Zr, Sn)中のLn3+ 4f軌道基底状態のエネルギー準位をXPS測定により実験的に見積もり、エネルギーダイアグラムを作成した。また、それらの蛍光を室温および液体窒素を使った低温で評価し、エネルギーダイアグラムに基づいて発光色の違いや発光の有無について調査した。