[10a-S224-1~8] 7.5 イオンビーム一般

[10a-S224-2] 高エネルギーイオン入射によるSi での生成電荷分布計測 (II)

〇阿保 智¹、谷 健一¹、若家 冨士男¹、小野田 忍²、山下 隼人^1,3、宮戸 祐治¹、阿部 真之¹ (1.阪大院基礎工、2.量研機構、3.JST さきがけ)

キーワード：イオンビーム誘起電荷、電荷分布