[10a-W321-1~10] 23.1 合同セッションN「インフォマティクス応用」

△ [10a-W321-7] 制約付きバッチベイズ最適化を用いたSiC研削条件の探索

〇(M1C)長田 圭一^1,2、角岡 洋介^1,2,3、成田 潔⁴、小泉 晴比古²、沓掛 健太朗⁵、原田 俊太^1,2、田川 美穂^1,2、宇治原 徹^1,2,3 (1.名大院工、2.名大未来研、3.産総研　GaN-OIL、4.ニートレックス、5.理研　AIP)

キーワード：ベイズ最適化、SiC、プロセス最適化

ベイズ最適化は、素材プロセスの条件の最適化にも有効である。素材プロセスの最適化において最も効率的なデータ取得数が複数の場合や品質基準を満たす効率の改善が必要な場合がある。本研究では、SiC基板の研削プロセスにおいて制約付きバッチベイズ最適化を用いることで、研削後の基板の表面近傍のダメージを均一に減少した条件を得た。今後、従来条件と同等以下のダメージかつ、より大きい加工速度となる条件の獲得が期待される。