Deposition temperature dependence on N-doped LaB<sub>6</sub> thin film utilizing RF sputtering

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.4 薄膜新材料

2019年3月10日(日) 09:00 〜 12:15 W323 (W323)

10:00 〜 10:15

〇(D)KyungEun Park¹、Yuki Komatsu¹、Yasutaka Maeda¹、Shun-ichiro Ohmi¹ (1.Tokyo Tech)

キーワード：N-doped LaB6, RF sputtering