[10a-W323-1~9] 6.4 薄膜新材料

[10a-W323-8] 窒化銅薄膜をチャネルに用いたアンバイポーラ型トランジスタの作製

〇松崎 功佑¹、片瀬 貴義²、細野 秀雄^1,2 (1.東工大元素セ、2.東工大フロ研)

キーワード：窒化銅、アンバイポーラ型トランジスタ

我々は、伝導帯・価電子帯ともに分散の大きい窒化銅（Cu₃N）に着目し、NH₃/O₂ガスを用いた新しい直接窒化法を適用することで、高正孔・電子移動度のCu₃N薄膜を実現してきた[1]。本研究では、本合成法により作製したCu₃N薄膜をチャネルに用いることで、アンバイポーラ型TFTとCMOSインバーター動作に成功したので報告する。
[1] K. Matsuzaki et al., Adv. Mater. 30, 1801968 (2018)