The 66th JSAP Spring Meeting, 2019

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Oral presentation

22 Joint Session M ”Phonon Engineering” » 22.1 Joint Session M "Phonon Engineering"

[10a-W371-1~12] 22.1 Joint Session M "Phonon Engineering"

Sun. Mar 10, 2019 9:00 AM - 12:15 PM W371 (W371)

Junichiro Shiomi(Univ. of Tokyo), Toshio Baba(JST)

10:00 AM - 10:15 AM

[10a-W371-5] Development of a sensitized thermal cell using Ge semiconductor

〇(M2)Takuma Araki1, Seiya Sugawara1, Hayato Sekiya1, Toshihiro Isobe1, Akira Nakajima1, Sachiko Matsushita1 (1.Tokyo tech.)

Keywords:Thermal cell, Germanium semiconductor, recovery of power generation

我々は色素増感型太陽電池に学び、「熱源に埋めて電気を得る」ことを可能にする増感型熱利用発電 (Sensitized thermal cell, STC) を提案し、検討を行っている。本研究では低温作動可能なSTCの構築を目指し、狭いバンドギャップを持ち低温でも熱励起電荷キャリアが生成するGeを半導体として使用した。作製したGe系STCの電池特性を評価し、さらに発電終了および回復過程についても観察・測定を行った。