[10a-W541-1~12] 15.4 III-V-group nitride crystals

[10a-W541-12] Enhanced red emissions from GaN:Eu under strong excitation condition

〇Shuhei Ichikawa¹, Jun Tatebayashi¹, Yasufumi Fujiwara¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:GaN, rare-earth, MOVPE

我々はこれまでに、有機金属気相成長法(organometallic vapor
phase epitaxy: OMVPE)により希土類元素のEu をGaN 結晶中にin-situ 添加し
(GaN:Eu)、これを活性層とした赤色LED を実現してきた。さらなる高輝度
化を目指すためには、高電流注入下において顕著にみられる効率ドループ現
象を抑制することが求められる。これは、Eu 4f 殻内遷移の発光寿命が長いた
めに、強励起下ではEu イオンの多くが励起状態となり、発光強度が飽和する
ことに由来している。本研究では、サファイア基板上GaN:Eu 膜成長時におい
て、成長基板や成長条件を変化させることで、強励起条件下での発光強度の
増大に向けた構造設計指針について知見を得たので報告する。