[10a-W611-1~9] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[10a-W611-8] Fabrication of Si Quantum Dot Solar Cells with SiOx as a Barrier Layer

〇Ryushiro Akaishi¹, Kouhei Kitazawa¹, Shinya Kato², Kazuhiro Gotoh¹, Noritaka Usami¹, Yasuyoshi Kurokawa¹ (1.Nagoya Univ., 2.Nagoya Inst. of Tech.)

Keywords:solar cell

太陽電池の変換効率を飛躍的に向上させる方法の一つとして、タンデム型太陽電池が注目されている。我々はトップセル候補材料の一つであるSi量子ドットを格子状に配列させたSi量子ドット超格子（Si-QDSL）を光吸収層として用いたSi量子ドット太陽電池について研究を行っている。本研究では、OによるSi量子ドット界面のパッシベーション効果が期待できるSiO_xを障壁層として用い、i型Si-QDSL層を光吸収層とする太陽電池を作製、評価を行った。