[10a-W631-1~12] 3.7 レーザープロセシング

[10a-W631-12] フェムト秒レーザー照射による結晶改質がp-GaNへのオーミックコンタクトに与える影響

〇(M1)片山 裕之¹、直井 美貴¹、岡田 達也¹、田中 康弘²、富田 卓朗¹ (1.徳島大工、2.香川大工)

キーワード：フェムト秒レーザー、p型窒化ガリウム、オーミック接触

これまでに、p型GaNと電極の界面へのフェムト秒レーザー照射によって電極の低抵抗化に成功した。今回は、フェムト秒レーザー照射がGaN結晶にどのような改質をもたらし、電極の低抵抗化が起きるのかを明らかにするため、異なる照射フルーエンスで作製したp-GaN上電極に対して、透過型電子顕微鏡による断面観察を行い、その電流電圧特性を比較した。