[10a-W631-1~12] 3.7 Laser processing

[10a-W631-12] Influence of crystal modification by femtosecond laser irradiation on ohmic contact of p-GaN

〇(M1)Hiroyuki Katayama¹, Naoi Yoshiki¹, Okada Tatsuya¹, Tanaka Yasuhiro², Tomita Takurou¹ (1.Tokushima Univ., 2.Kagawa Univ.)

Keywords:femtosecond laser, p-type Gallium nitride, Ohmic contact

これまでに、p型GaNと電極の界面へのフェムト秒レーザー照射によって電極の低抵抗化に成功した。今回は、フェムト秒レーザー照射がGaN結晶にどのような改質をもたらし、電極の低抵抗化が起きるのかを明らかにするため、異なる照射フルーエンスで作製したp-GaN上電極に対して、透過型電子顕微鏡による断面観察を行い、その電流電圧特性を比較した。