[10a-W641-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[10a-W641-1] 高圧相α-PbO₂型TiO₂エピタキシャル薄膜の平坦化

〇(M2)笹原 悠輝¹、金谷 航葵¹、松久 将之¹、遊馬 博明¹、西尾 和記¹、清水 亮太^1,2、西山 宣正³、一杉 太郎¹ (1.東工大物質理工、2.JSTさきがけ、3.東工大フロンティア)

キーワード：高圧、平坦化、エピタキシャル成長

超高圧下でのみ存在可能な物質を大気圧下に取り出すべく、エピタキシャル安定化に着目し、薄膜試料に対して超高圧印加する試みを始めた。その結果、ルチル薄膜への超高圧処理により、高圧相α-PbO₂型TiO₂の単相エピタキシャル薄膜作製を実現できたが、処理後の薄膜は基板上で凝集していた。そこで本研究では、薄膜が凝集した原因が高温印加であることを見出し、低温処理により高圧相薄膜の平坦化を試みたので報告する。