2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[10a-W641-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2019年3月10日(日) 09:00 〜 11:45 W641 (W641)

片山 司(東大)

09:15 〜 09:30

[10a-W641-2] NiO/ZnO ヘテロ界面におけるポストプロセスの影響と劣化メカニズムの検討

加藤 匠秀1、竹内 航平1、王 澤樺1、田沼 涼1、杉山 睦1,2 (1.東理大 理工、2.東理大 総研)

キーワード:酸化ニッケル、界面、ワイドバンドギャップ