[10a-W934-1~11] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

[10a-W934-1] Reaction region of deoxidization on Si(110)

〇Masahiro Yano¹, Tomoo Terasawa¹, Shinichi Machida¹, Satoshi Yasuda¹, Hidehito Asaoka¹ (1.ASRC JAEA)

Keywords:semiconductor, deoxidization

Si(110)上酸化膜還元過程の実時間計測をSTMおよびXPSを用いて行った。STMでは酸化膜と清浄面の境界に特異な領域が拡大していく様子が観測された。この現象は還元を中断して室温で計測しても観測されないため、還元反応の遷移状態を示していると考えられる。XPS計測では還元過程でSi³⁺の割合が増加することが確認された。講演ではこれら結果を基にSi(110)上酸化膜の還元ダイナミクスについて議論する。