[10a-W934-1~11] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

△ [10a-W934-8] High-Field Electron Transport Analysis Based on The Barker-Ferry Equation

〇(M2)Shintaro Makihira¹, Nobuya Mori¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:widegap, high field, intracollisional field effect

SiC, GaN などの広い禁止帯を持つ半導体は，絶縁破壊電界が数MV/cm と高く，パワーデバイス応用に向けて，Si に代わる半導体材料として注目されている．数MV/cm 程度の印加電界のもとでは，散乱中に電子が加速される散乱内電界効果(ICFE) などの量子効果が重要な役割を演じると予想されている．本研究では，ICFEを考慮可能な輸送方程式であるBarker-Ferry 方程式を用いて，単純化した1次元半導体における高電界輸送特性を解析した．