[10p-M112-1~7] 7.1 X線技術

[10p-M112-7] 中性子位相イメージング用大面積蒸着Gd吸収格子の作製

〇佐本 哲雄¹、高野 秀和¹、百生 敦¹ (1.東北大多元研)

キーワード：X線マイクロトモグラフィー、ガドリニウム、回折格子

格子を用いる中性子位相イメージングにおいて広い視野を得る目的から, 回折格子の大面積化手法をSi微細加工技術と斜方蒸着法を用いて検討した. Gd蒸着入射角度を制限する窓とSi基板移動を組み合わせて64 mm角, 9 μmピッチのGd吸収格子を作製した. またX線マイクロトモグラフィー解析により, Gd斜方蒸着膜の密度解析を行った. バルクGd密度に換算した格子高さは18 μm, Duty cycle 0.5程度のGd吸収格子が得られた.