2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

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シンポジウム(口頭講演)

シンポジウム » 光プロセスの基礎過程に迫る計測・モニタリング技術の進展

[10p-M114-1~12] 光プロセスの基礎過程に迫る計測・モニタリング技術の進展

2019年3月10日(日) 13:30 〜 18:15 M114 (H114)

中村 大輔(九大)

16:30 〜 16:45

[10p-M114-7] 波長掃引光源を用いた光干渉断層法によるフェムト秒レーザー加工の穴深度のインプロセス計測

長谷川 智士1、藤本 正俊2、早崎 芳夫1 (1.宇都宮大、2.浜松ホトニクス)

キーワード:フェムト秒レーザー加工、光断層干渉法

本研究では,フーリエドメイン光干渉断層法(FD-OCT) を用いて,レーザー加工中の穴深 度のインプロセス計測を行う.FD-OCT は,機械的な走査が不要で瞬時に深さ情報を定量的に取得できるため,インプロセス計測に適し ている.また,FD-OCT の中でも波長掃引型 (SS-OCT)は,光散乱の影響を受けにくい波 長1.3µm帯を利用するため,レーザー加工時に発生する噴出物の影響下での計測を可能にする.