[10p-M116-1~22] 9.1 Dielectrics, ferroelectrics

[10p-M116-1] Composition Dependence and Depth Profile of Density of Oxygen Vacancy in Solution-Processed IGZO

〇Takaaki Morimoto^1,3, Yicheng Yang^1,3, Nobuko Fukuda³, Yoshimichi Ohki^1,2 (1.SASE of Waseda Univ., 2.RIMST of Waseda Univ., 3.FLEC of AIST)

Keywords:X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS), Oxide semiconductor, Composition

溶液法IGZOを用いたボトムゲート型薄膜トランジスタにおいて、Gaが少なくInが多いほどオン電流が大きく酸素空孔密度が少ないという結果から、酸素空孔が少ないときにオン電流が大きくなる事が分かった。また、酸素空孔の密度は、膜の表層付近において大きいことから、膜表面をチャネルとするトップゲート型薄膜トランジスタの場合には、表層を削るなどの対策が必要と考えられる。