The 66th JSAP Spring Meeting, 2019

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Oral presentation

9 Applied Materials Science » 9.1 Dielectrics, ferroelectrics

[10p-M116-1~22] 9.1 Dielectrics, ferroelectrics

Sun. Mar 10, 2019 1:00 PM - 7:00 PM M116 (H116)

Hajime Nagata(Tokyo Univ. of Sci.), Satoshi Wada(Univ. of Yamanashi), Takaaki Morimoto(National Defence Academy)

4:00 PM - 4:15 PM

[10p-M116-12] Preparation of Perovskite-type Oxides Containing Rb by High-pressure Reactive Sintering Method

Yusuke Yasue1, Ueno Shintaro1, Fujii Ichiro1, Muraba Yoshinori2, Hosono Hideo2,3, Wada Satoshi1 (1.Univ. of Yamanashi, 2.MCES, Tokyo Tech., 3.MSL, Tokyo Tech.)

Keywords:ferroelectric, nanodomain, capacitor

現在、様々な電子デバイスに積層セラミックコンデンサー(MLCC)が用いられているが、このMLCCには静電容量が電場(DCバイアス)に依存するという課題がある。これは誘電体層の主成分であるチタン酸バリウムが強誘電体であることに起因している。一方、常誘電体は比誘電率の電場依存性はないものの比誘電率が低い。そこで比誘電率が高く、かつDCバイアスに依存しない誘電材料を開発するため、我々はナノドメインに着目し、試料を作製した。