2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

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13 半導体 » 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[10p-PA4-1~7] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

2019年3月10日(日) 13:30 〜 15:30 PA4 (屋内運動場)

13:30 〜 15:30

[10p-PA4-7] 原子層薄膜CaF2/Siヘテロ構造を用いたp型共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性

〇(M1)三上 萌1、福山 聡史1、渡辺 正裕1 (1.東工大工学院)

キーワード:ナノ構造、量子井戸、共鳴トンネルダイオード