[10p-PA5-1~13] 6.5 表面物理・真空

[10p-PA5-4] MOCVD-NEA表面作製装置を用いたInGaAsPのフォトカレント特性 ―半導体材料依存性―

〇(M1)出射 幹也¹、村田 文浩¹、山下 海人¹、七井 靖¹、渕 真悟¹ (1.青学大)

キーワード：半導体、フォトカソード、NEA表面