[10p-PA8-1~39] 17 Nanocarbon Technology (Poster)

[10p-PA8-35] Analysis of the abrupt switching in the graphene tunnel FETs

〇Shunei Suzuki¹, Ahemed Hammam¹, Manoharan Muruganathan¹, Marek Schmidt¹, Hiroshi Mizuta^1,2 (1.JAIST, 2.HCL)

Keywords:Graphene, First principle analysis, Tunnel Field Effect Transistors

現在,トンネルトランジスタ（TFET）における低オン電流の問題を解決できる素子として, グラフェンナノリボン（GNR）をベースとしたTFETが研究されている. 本研究では、室温下でサブスレッショルド係数SS < 60 mVdecを達成するために必要な素子寸法について解析した。また、小さいバンドギャップでも急峻なSSが得られる構造を新たに考案・解析した.