[10p-PB4-1~23] 3.13 半導体光デバイス

[10p-PB4-1] InAs/GaAs 量子ドット構造における組成混晶化

〇(M2)白井 智大¹、平石 優¹、權 晋寛²、松島 裕一¹、石川 浩¹、荒川 泰彦²、宇髙 勝之¹ (1.早大理工、2.東大ナノ量子機構)

キーワード：半導体、量子ドット、混晶化