[10p-PB4-1~23] 3.13 Semiconductor optical devices

[10p-PB4-6] Lasing characteristics of GaInAsP / GaInAsP SCH-MQW laser diode on wafer bonded InP/Si substrate

〇Takahiro Ishizaki¹, Hirokazu Sugiyama¹, Kazuki Uchida¹, Xu Han¹, Masaki Aikawa¹, Natsuki Hayasaka¹, Masaki Matsuura¹, Koki Tsushima¹, Takuto Shirai¹, Kazuhiko Shimomura¹ (1.Sophia Univ.)

Keywords:laser diode, InP/Si, Direct bonding

電気配線から高速大容量である光配線の切り替えなど、光インターコネクションの実現が望まれる。この光インターコネクション実現のためにSi基板上に光デバイスが集積されるが、Siは間接遷移半導体のため発光デバイスに不向きである。そこで我々の研究室ではInPとSiを直接貼り付けした上で、InP面にⅢ-Ⅴ族デバイスをMOVPE成長させる方法を提案している。これによりSiとInP系の格子定数差などの問題を解決している。本研究では、レーザ活性層であるMQW構造の層数による閾値電流密度の低下について述べる。