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[10p-PB4-6] 直接貼付InP/Si基板上GaInAsP/GaInAsP SCH-MQW レーザの発振特性
キーワード:レーザ、InP/Si、直接貼付
電気配線から高速大容量である光配線の切り替えなど、光インターコネクションの実現が望まれる。この光インターコネクション実現のためにSi基板上に光デバイスが集積されるが、Siは間接遷移半導体のため発光デバイスに不向きである。そこで我々の研究室ではInPとSiを直接貼り付けした上で、InP面にⅢ-Ⅴ族デバイスをMOVPE成長させる方法を提案している。これによりSiとInP系の格子定数差などの問題を解決している。本研究では、レーザ活性層であるMQW構造の層数による閾値電流密度の低下について述べる。