[10p-PB4-1~23] 3.13 半導体光デバイス

[10p-PB4-6] 直接貼付InP/Si基板上GaInAsP/GaInAsP SCH-MQW レーザの発振特性

〇石崎 隆浩¹、杉山 滉一¹、内田 和希¹、韓 旭¹、相川 政輝¹、早坂 夏樹¹、松浦 正樹¹、対馬 幸樹¹、白井 琢人¹、下村 和彦¹ (1.上智大理工)

キーワード：レーザ、InP/Si、直接貼付

電気配線から高速大容量である光配線の切り替えなど、光インターコネクションの実現が望まれる。この光インターコネクション実現のためにSi基板上に光デバイスが集積されるが、Siは間接遷移半導体のため発光デバイスに不向きである。そこで我々の研究室ではInPとSiを直接貼り付けした上で、InP面にⅢ-Ⅴ族デバイスをMOVPE成長させる方法を提案している。これによりSiとInP系の格子定数差などの問題を解決している。本研究では、レーザ活性層であるMQW構造の層数による閾値電流密度の低下について述べる。