[10p-PB5-1~55] 17 Nanocarbon Technology (Poster)

△ [10p-PB5-37] Effect of monolayer MoS₂ buffer layer on GaN growth on sapphire

〇(B)Naoto Komatsu¹, Masamitu Takahasi², Takuo Sasaki², Kyohei Takata¹, Ryoichi Makino¹, Hiroki Hibino^1,3 (1.Kwangaku Univ., 2.QST, 3.NTT Basic Research Labs.)

Keywords:Molybdenum disulfide, GaN, XRD

サファイアとGaNの結晶格子の間の格子不整合は16%と大きいが、遷移金属ダイカルコゲナイドの一種である二硫化モリブデン(MoS₂)はGaNと格子整合するためバッファ層として注目されている｡本研究ではMoS₂で部分的に覆われたc面サファイア基板上に分子線エピタキシー法によってGaNを結晶成長させ、その場X線回折(XRD)測定を行った。XRD測定およびRaman分光法やSEM、AFMを用いた評価の結果、GaNの結晶方位が単層MoS₂の影響で変化していることがわかった。