[10p-PB5-1~55] 17 Nanocarbon Technology (Poster)

[10p-PB5-39] Pinning relaxation of 2H-MoSe2 FET by inserting 1T-MoSe2

〇Shuuto Horii¹, Keiji Ueno¹ (1.Saitama Univ.)

Keywords:layered materials, molybdenum diselenide, fermi level pinning

現在，シリコン半導体素子は微細化に限界があると考えられており，層状遷移金属ダイカルコゲナイド等の層状物質がポストシリコン材料として注目を集めている。しかしそのデバイス応用の際には，金属電極接合界面におけるフェルミ準位ピニング(FLP)が大きな問題となっている。本研究では2H相の二セレン化モリブデン(MoSe₂)と金属電極の間に1T相のMoSe2を挿入した電界効果トランジスタ(FET)作製を試み，FLPの緩和に挑戦した。